Understanding the impact of split-gate LDMOS transistors: Analysis of performance and hot-carrier-induced degradation
نویسندگان
چکیده
In this paper a split-gate LDMOS transistor is investigated. A dedicated terminal, namely split-gate, introduced in order to control the field plate region separately with respect channel region. The performances of device, terms on-resistance, breakdown voltage and capacitances, are compared those conventional device. hot-carrier-induced degradation device also investigated, highlighting influence voltage. This work allows identifying tradeoff between performance reliability component, which controlled by applied terminal.
منابع مشابه
Investigation of the hot carrier degradation in power LDMOS transistors with customized thick oxide
In this paper, we report a combined experimental/simulation analysis of the degradation induced by hot carrier mechanisms, under ON-state stress, in silicon-based LDMOS transistors. In particular, the ON-resistance degradation in linear regime has been experimentally characterized by means of different stress conditions and temperatures. The hot-carrier stress regime has been fully reproduced i...
متن کاملVoltage dependences of parameter drifts in hot carrier degradation for n-channel LDMOS transistors
The reliability characterization in shallow trench isolation (STI) based n-channel lateral diffused metal– oxide–semiconductor (LDMOS) transistor has recently drawn much attention. A thorough investigation of the hot carrier degradation under various gate and drain stress biases are carried out to gain an insight on the bias dependences of the parameter drifts. The findings are supported by bot...
متن کاملPredictive TCAD Approach for the Analysis of Hot-Carrier-Stress Degradation in Integrated STI-based LDMOS Transistors
A physically-based approach suitable for TCAD analyses has been developed for the hot-carrier-stress (HCS) degradation prediction in lateral DMOS transistors with shallow trench isolation (STI). The measured linear draincurrent degradation (ID,lin) induced by HCS is nicely reproduced by TCAD results for different LDMOS devices at significant stress conditions on an extended range of stress tim...
متن کاملthe analysis of the role of the speech acts theory in translating and dubbing hollywood films
از محوری ترین اثراتی که یک فیلم سینمایی ایجاد می کند دیالوگ هایی است که هنرپیش گان فیلم میگویند. به زعم یک فیلم ساز, یک شیوه متأثر نمودن مخاطب از اثر منظوره نیروی گفتارهای گوینده, مثل نیروی عاطفی, ترس آور, غم انگیز, هیجان انگیز و غیره, است. این مطالعه به بررسی این مسأله مبادرت کرده است که آیا نیروی فراگفتاری هنرپیش گان به مثابه ی اعمال گفتاری در پنج فیلم هالیوودی در نسخه های دوبله شده باز تولید...
15 صفحه اولthe impact of attending efl classes on the level of depression of iranian female learners and their attributional complexity
می توان گفت واقعیت چند لایه ا ی کلاس های زبان انگلیسی بسیار حائز اهمیت است، زیرا عواطف و بینش های زبان آموزان تحت تاثیر قرار می گیرد. در پژوهش پیش رو، گفته می شود که دبیران با در پیش گرفتن رویکرد فرا-انسانگرایی ، قادرند در زندگی دانش آموزانشان نقش مهمی را ایفا سازند. بر اساس گفته ی ویلیامز و بردن (2000)، برای کرل راجرز، یکی از بنیان گذاران رویکرد انسانگرایی ، یادگیری بر مبنای تجربه، نوعی از یاد...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Solid-state Electronics
سال: 2021
ISSN: ['0038-1101', '1879-2405']
DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108068